صفحه اصلی / مـهندسی شیـمی,شیمی,پـالایش / پروژه و پایان نامه

نسخه قابل چاپ

امتیاز به این محصول عالی خوب متوسط ضعیف خیلی بد	(تعداد رای: 40) نظرات کاربران (0 پست) در صورتی که مایل به خرید این محصول هستید ابتدا باید آن را به سبد خرید اضافه کنید # این محصول به صورت فایل می باشد و پس از پرداخت موفق توسط شما لینک دانلود به ایمیل شما ارسال میگردد . # در صورتی که دارای ایمیل شخصی نمیباشید لینک دانلود در قسمت دانلود فروشگاه قرار میگیرد . # این محصول پس از پرداخت موفق طی حداقل 30 دقیقه و حداکثر 10 ساعت آینده طبق فهرست ذیل ارسال میگردد . قیمت: ۱۰,۰۰۰ تومان موجود در انبار: بله تعداد صفحات: 90 صفحه نوع فایل ارسالی: ورد (Word )
فهرست پیشگفتار 1 فصل اول: ترابرد حامل ها مقدمه 6 1-1 ساختار نوار رسانش سیلیسیوم 7 1-1-1 ساختار نواری (100)SI در لایه وارونی 8 1-2 گاز الکترون دو بعدی 9 1-3 چاه کوانتومی 11 1-4 ترابرد حامل 12 1-5 تحرک پذیری حامل 13 1-5-1 خصوصیات تحرک وابسته به میدان در ناحیه میدان های ضعیف 14 1-5-2 خصوصیات تحرک وابسته به میدان در ناحیه میدان های خیلی بالا فصل دوم: فرمول بندی تحرک در میدانهای متوسط در نیم رساناهای چند لایه ای مقدمه 27 2-1 تاریخچه ای از مطالعات انجام شده بر روی خصوصیات ترابرد2DEG در دماهای پایین 28 2-2 ویژگی های ترابرد در دماهای پایین شبکه 29 2-3 احتمال پراکندگی فونون اکوستیکی درون دره ای 30 2-4 محاسبه تحرک وابسته به میدان 34 2-4-1 خصوصیات تحرک میدان ضعیف در تقریب دمای مؤثر 34 2-4-2 فرمول بندی تحرک میدان ضعیف با استفاده از معادله ی بولتزمن فصل سوم: نتایج و محاسبات مقدمه 47 3-1 محاسبه تغییرات تحرک پذیری با فرض دمای مؤثر وابسته به میدان الکترون های غیر تعادلی 48 3-1-1 نمودار تغییرات میدان الکتریکی و تحرک پذیری نسبت به دمای الکترون در دماهای مختلف شبکه 48 3-1-2 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در دماهای مختلف شبکه 51 3-1-3 نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجارشده نسبت به میدان الکتریکی در دماهای مختلف شبکه 53 3-1-4 نمودار تغییرات میدان الکتریکی و تحرک پذیری نسبت به دمای الکترون در غلظت های مختلف 55 3-1-5 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در غلظت های مختلف الکترونی 58 3-1-6 نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی در غلظت های الکترونی مختلف 59 3-2 محاسبه تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان از حل معادله بولتزمن به روش تحلیلی 61 3-2-1 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان در دماهای شبکه مختلف 61 3-2-2 نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان در دماهای مختلف شبکه 63 3-2-3 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان در غلظت های الکترونی مختلف 64 3-2-4 نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان در غلظت های الکترونی مختلف 66 3-3 محاسبه تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی از حل معادله بولتزمن به روش عددی 67 3-3-1 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در دماهای مختلف شبکه 68 3-3-2 نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در غلظت های الکترونی مختلف 69 3-4 مقایسه نتیجه تجربی با نتیجه از حاصل از حل معادله بولتزمن به روش تحلیلی 71 3-5 بحث و نتیجه گیری 72 مراجع 75   فهرست شکل ها شکل (1-1-الف): ساختار نوار رسانش Si 7 شکل (1-1-ب): سطح ثابت انرژی نوار رسانش Si با شش دره در جهت [100] در فضای ممنتم 8 شکل(1-2): چگونگی تشکیل گاز الکترون دو بعدی در مادفت ها 10 شکل (1-3): چگونگی تشکیل گاز الکترون دو بعدی در ماسفت ها 10 شکل (1-4): چاه کوانتومی منفرد 11 شکل (1-5): تحرک وابسته به دما در میدان های ضعیف 18 شکل (1-6):مقادیر تجربی تحرک وابسته به میدان حاملهای غیر تعادلی در دماهای شبکه 13، 25، 40، 60، 77 و 100 کلوین در ناحیهی میدان خیلی بالا نمونه Si. 22 شکل (1-7): تحرک بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی بهنجار شده برای نمونه Si در دمای شبکه 13. خط پر تحرک محاسبه شده به وسیله ی لی و تینگ و نقاط مربوط به تحرک تجربی است 23 شکل (1-8): مقادیر تجربی تحرک وابسته به میدان حامل غیر تعادلی در دمای شبکه 2/4 کلوین در ناحیه میدان قوی 24 شکل (2-1): وابستگی سرعت پراکندگی به انرژی حامل در دماهای شبکه متفاوت برای یک 2DEG در لایه(100) Si با . منحنی های a و b و c به ترتیب در دماهای 1و4و20 می باشند . 33 شکل (3-1): نمایی از نمونه به کار گرفته شده برای انجام محاسبات 48 شکل(3-2): نمودار تغییرات میدان برحسب دمای الکترون در Si(2) 49 شکل (3-3): نمودار تغییرات میدان بر حسب دمای الکترون در Si(4) 49 شکل(3-4): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به دمای الکترون در Si(2) 50 شکل(3-5): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به دمای الکترون در Si(4) 50 شکل(3-6): نمودار تغییرات تحرک پذیری بر حسب میدان الکتریکی در Si(2) 52 شکل (3-7): نمودار تغییرات تحرک پذیری بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) 52 شکل (3-8): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(2) 53 شکل (3-9): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) 54 شکل(3-10): نمودار تغییرات میدان برحسب دمای الکترون در Si(2) 56 شکل(3-11): نمودار تغییرات میدان برحسب دمای الکترون در Si(4) 56 شکل(3-12): نمودار تغییرات تحرک پذیری بر حسب دمای الکترون در Si(2) 57 شکل(3-13): نمودار تغییرات تحرک بر حسب دمای الکترون در Si(4) 57 شکل (3-14): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 58 شکل (3-15): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 59 شکل(3-16): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(2) 60 شکل(3-17): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) 60 شکل (3-18): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 62 شکل (3-19): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 62 شکل (3-20): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی درSi(2) 63 شکل(3-21): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده بر حسب میدان الکتریکی در Si(4) 64 شکل (3-22): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 65 شکل (3-23): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 65 شکل(3-24): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 66 شکل(3-25): نمودار تغییرات تحرک پذیری بهنجار شده نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 67 شکل (3-26): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 68 شکل (3-27): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 69 شکل (3-28): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(2) 70 شکل (3-29): نمودار تغییرات تحرک پذیری نسبت به میدان الکتریکی در Si(4) 71 شکل(3-30): مقایسه مدل نظری با مدل تجربی. خط پر نتیجه حاصل از تئوری و نقاط توخالی نتیجه حاصل از تجربه در دمای K 13. 72
آیا در رابطه با مشخصات تحرک وابسته به میدان گاز الکترون دو بعدی در برهمکنش با فونونها سوالی دارید؟ برای کسب اطلاعات بیشتر از فرم زیر استفاده نمایید. نام شما: پست الکترونیک: لطفا دقیقا مشخص نمایید در مورد محصول چه اطلاعاتی می خواهید مشخصات تحرک وابسته به میدان گاز الکترون دو بعدی در برهمکنش با فونونها: